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挑战与机遇并存:2019年半导体存储市场趋势分析

来源: 发?#38469;?#38388;:2019/1/25 21:31:18 浏览点击数:554

2018年已经过去,这一年发生了很多事情,有些促进了产业的发展,比如人工智能技术的快速发展和一些应用的落地;有些则给产业的发展带来了一丝阴影,比如中兴事件,以及逐渐升温的中美贸易战。但不管怎么样,半导体产业必将会继续向前发展。接下来,跟着国?#23454;?#23376;商情一起来看看,2019年半导体存储市场有哪些新的机会?哪些技术会有新的突破呢?


过去1年来,内存产业表现明显与往年大不相同,在历经自2017年以来的?#27604;?#21518;,内存市场逐渐由于产能过剩、库存增加,?#30001;?#25216;术提升,以及中国厂商的加入,2018年,DRAM和NAND闪存(NAND Flash)开始出现供过于求、价格走跌的趋势,并将?#26377;?#21040;2019年。

就在1年前,内存产业还处于DRAM和NAND双双价量齐扬的?#27604;?#21608;期,然而,从2018年第一季起,NAND市场开始下滑,DRAM市场也随之在第三季之后走下坡。TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)预计,2019年的一整年都将会是供过于求的状况。从DRAM市场来看,2016年下半年开始出现价格上扬,并?#26377;?#21040;2018第三季仍处于高峰,在那之后才开始走缓。DRAMeXchange预计,目前这一波?#23548;?#33267;少将?#20013;?#21040;2019年第二季,?#23548;?#24133;?#20173;?0%~15%。

DRAM市场迅速飙升的主要成长动力来自于移动、服务器等应用需求。然而,当时由于晶圆厂产能不足以支撑快速成长的市场需求,导致供应短缺及价格飙升,同时也带动了2017年的半导体市场成长。2018年DRAM市场?#20013;?#36825;一波成长动能,并在第二季写下历年的营收新高记录。

DRAMeXchange研究经理黄郁璇以DRAM市场的主要驱动力——移动DRAM为例指出,自2016年下半年起,由于中国手机品牌崛起、手机内存主流容?#30475;?GB DRAM走向4GB,推动市场需求快速增加,?#30001;?#23395;节性因素带动,内存价格开始突飞猛进,促使内存原厂开始扩产以缓解市场短缺。这一周期直到2018第三季起才逐渐满足市场需求,并随着供货?#20013;?#24448;上爬升,预计从2018第四季起到2022上半年都将出现供过于求。

目前,尽管内存价格松动,厂商仍在积极增加产能,甚至计划扩厂或工艺转进。她指出,“包括美光、三星、海力士(SK Hynix)、南亚(Nanya)、中国的福建晋华(JHICC)?#20173;?#21378;?#20013;?#22686;加DRAM产出,预计将为市场增加22.9%的成长。”特别是智能手机等移动设备使用的低功耗、高密度DRAM,预计将在整体DRAM市场占41%。

除了移动DRAM,另一成长动力来自服务器。黄郁璇预计,从2019~2021的3年内,移动DRAM仍占市场第一,但随着服务器应用需求增加且更多元,可望在2021年后取代移动DRAM在原厂中的地位。

DRAMeXchange资深分析师刘家豪也强调,服务器是近几年来驱动DRAM产值的关键推手,特别是数据中心。在Google、Amazon、微软和Facebook,以及中国因特网三巨头(BAT—包括百度、阿里巴巴和腾讯)的推动下,可望使2019年服务器DRAM维持3.7%的单位成长,其中来自北美ODM的需求动力约占9.8%,中国内需市场需求则将近三成。

未来,刘家豪指出,5G将会是驱动内存市场的关键技术,包括在5G及其基础设施落实之前驱动服务器需求,以及在落实5G之后将催生来自边缘运算以及物联网/车联网(IoT/IoV)的更多新需求。


5G、数据中心与边?#23548;?#31639;将成为服务器DRAM需求增加的主要驱动力,并预计将在2021年后超越目前占主流的移动DRAM应用(来源:TrendForce DRAMeXchange)

NAND Flash市场的发展重点在于3D NAND。NAND Flash供应商长久以来一直在积极推动从当今的平面NAND转向3D NAND。不过,去年,NAND Flash市场同样受到产品短缺、供应链问题和技术转型困难的种种挑战。

Semico Research总裁Jim Feldhan指出,NAND Flash近来的市场发展基本上与DRAM大致相同,但DRAM自第四季开始起?#23548;郟?#32780;NAND Flash市场自2018年第一季起即出现供过于求,并?#20013;?#20102;一整年,产品价格也大幅下滑。

Objective Analysis分析师Jim Handy也表示,“NAND Flash市场供过于求且价格下跌(2018年第一季)的时间比DRAM市场更早。其现货价格甚至比2017年底的高峰时期更低了79%。”

根据DRAMeXchange的资料,2018年10月TLC NAND Flash颗粒与晶圆的?#26174;技?#26684;跌幅高达13~17%,这是自2017年11月以来的单月最大跌幅。展望2019年,尽管原厂开始?#31181;?#25193;产,但由于上半年的淡季?#30001;?#24211;存水平仍高,供过于求的情况只会更加显著,预估第一季?#26174;技?#23558;再进下跌约10%。花旗银行的分析更估计2019年NAND Flash将大幅?#23548;?5%,甚至在第二季之前还看不到价格底线,各大内存厂商必须尽早预做准备。

事实上,NAND Flash市场的前景仍不明朗。根据Semico Research的数据显示,2018年的2月、5月与7月,NAND价格分别下滑了5.3%、5.0%及8.1%,但8月和9月的价格?#20174;?#20998;别上涨了13.3%和14.1%。

但无论是DRAM还是NAND Flash,2019年的内存市况看起来似乎较为黯淡。不仅内存价格将?#20013;?#36208;跌,甚?#37327;?#33021;出现大幅下滑的趋势,特别是2019年下半年。而且,很可能如同Handy预计的,在2019年,“DRAM和NAND Flash市场很可能一整年都‘无利可图’,因为这些芯片几乎都将以成本价出售!”


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